Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Element Material
- SILICON
- Parça Durumu
- Active
- Polarity
- NPN
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 30V
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 30V
- Element Configuration
- Dual
- Max Power Dissipation
- 270W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 40 @ 1A 5V
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60V
- Power Dissipation
- 270W
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Fabrika Tedarik Süresi
- 14 Weeks
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Pin Sayısı
- 8
- Hfemin
- 40
- Pin Sayısı
- 8
- Gain
- 10dB
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual) Common Emitter
- Collectorbase Capacitancemax
- 95pF
- Output Power
- 125W
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Frekans
- 500MHz
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Continuous Collector Current
- 16A
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kılıf / Paket
- 744A-01
- Terminal Sayısı
- 8
- Terminal Formu
- FLAT
- Max Collector Current
- 16A
- Ambalaj
- Tray
- Number Of Elements
- 2
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4V
- Yayın Yılı
- 2009
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors