Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Type
- NPN
- Frekans
- 1.15GHz
- Polaritychannel Type
- NPN
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 65V
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
- Max Power Dissipation
- 1.46kW
- Max Collector Current
- 29A
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 20 @ 5A 5V
- Yayın Yılı
- 2009
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Transistor Element Material
- SILICON
- Emitter Base Voltage Vebo
- 3.5V
- Parça Durumu
- Active
- Fabrika Tedarik Süresi
- 20 Weeks
- Power Max
- 500W
- Ambalaj
- Tray
- Element Configuration
- Single
- Additional Feature
- WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR
- Kılıf / Paket
- 355J-02
- Case Connection
- BASE
- Gain
- 9dB
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 65V
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Collector Base Voltage Vcbo
- 65V
- Terminal Sayısı
- 2
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Hfemin
- 20
- Number Of Elements
- 1
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Jesd30 Code
- R-CDFM-F2
- Continuous Collector Current
- 29A
- Terminal Formu
- FLAT
- Pin Sayısı
- 2
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 3
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors