Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Highest Frequency Band
- L B
- Jesd30 Code
- R-CDFM-F2
- Pin Sayısı
- 3
- Pin Sayısı
- 2
- Terminal Formu
- FLAT
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Gain
- 9dB
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 65V
- Case Connection
- BASE
- Number Of Elements
- 1
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Sayısı
- 2
- Collector Base Voltage Vcbo
- 65V
- Parça Durumu
- Active
- Fabrika Tedarik Süresi
- 14 Weeks
- Power Max
- 350W
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Qualification Status
- Not Qualified
- Transistor Element Material
- SILICON
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- 355E-01
- Configuration
- SINGLE
- Ambalaj
- Tray
- Additional Feature
- WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 65V
- Montaj
- Chassis Mount
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Transistor Type
- NPN
- Polaritychannel Type
- NPN
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 20 @ 5A 5V
- Yayın Yılı
- 2016
- Max Collector Current
- 31A
- Max Power Dissipation
- 350W
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors