Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 55V
- Gain
- 8.5dB
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Case Connection
- BASE
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Number Of Elements
- 1
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Hfemin
- 20
- Collector Base Voltage Vcbo
- 55V
- Terminal Sayısı
- 2
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Jesd30 Code
- R-CDFM-F2
- Continuous Collector Current
- 15A
- Pin Sayısı
- 3
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 2
- Terminal Formu
- FLAT
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 55V
- Polaritychannel Type
- NPN
- Frekans
- 1.215GHz
- Transistor Type
- NPN
- Yayın Yılı
- 2009
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 20 @ 5A 5V
- Max Collector Current
- 15A
- Max Power Dissipation
- 380W
- Power Dissipation
- 380W
- Fabrika Tedarik Süresi
- 20 Weeks
- Power Max
- 120W
- Parça Durumu
- Active
- Emitter Base Voltage Vebo
- 3.5V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kılıf / Paket
- 355C-02
- Additional Feature
- WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR
- Element Configuration
- Single
- Ambalaj
- Tray
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors