Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Pin Sayısı
- 3
- Terminal Formu
- FLAT
- Pin Sayısı
- 2
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Continuous Collector Current
- 3A
- Jesd30 Code
- R-CDFM-F2
- Number Of Elements
- 1
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Collector Base Voltage Vcbo
- 55V
- Terminal Sayısı
- 2
- Hfemin
- 20
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Gain
- 9.5dB
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 55V
- Kılıf / Paket
- 332A-03
- Ambalaj
- Tray
- Element Configuration
- Single
- Additional Feature
- WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR
- Parça Durumu
- Active
- Power Max
- 30W
- Fabrika Tedarik Süresi
- 20 Weeks
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Transistor Element Material
- SILICON
- Emitter Base Voltage Vebo
- 3.5V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 20 @ 500mA 5V
- Yayın Yılı
- 2009
- Power Dissipation
- 110W
- Max Power Dissipation
- 110W
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Max Collector Current
- 3A
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 55V
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Transistor Type
- NPN
- Frekans
- 1.215GHz
- Polaritychannel Type
- NPN
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors