Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kılıf / Paket
- Ceramic
- Terminal Sayısı
- 2
- Frekans
- 1.215GHz
- Pin Sayısı
- 2
- Max Power Dissipation
- 350W
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Continuous Collector Current
- 32.5A
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Additional Feature
- WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Terminal Formu
- FLAT
- Jesd30 Code
- R-CDFM-F2
- Polaritychannel Type
- NPN
- Montaj
- Chassis Mount
- Ambalaj
- Tray
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 65V
- Case Connection
- BASE
- Number Of Elements
- 1
- Gain
- 9.4dB
- Qualification Status
- Not Qualified
- Fabrika Tedarik Süresi
- 28 Weeks
- Max Collector Current
- 32.5A
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Type
- NPN
- Yayın Yılı
- 2009
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Emitter Base Voltage Vebo
- 3V
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Parça Durumu
- Active
- Element Configuration
- Single
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Transistor Element Material
- SILICON
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 65V
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors