Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Max Power Dissipation
- 115W
- Pin Sayısı
- 2
- Terminal Sayısı
- 2
- Ambalaj
- Tray
- Jesd30 Code
- R-CDFM-F2
- Polaritychannel Type
- NPN
- Montaj
- Chassis Mount
- Terminal Formu
- FLAT
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Qualification Status
- Not Qualified
- Highest Frequency Band
- S B
- Gain
- 8.06dB ~ 8.45dB
- Number Of Elements
- 1
- Case Connection
- BASE
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 65V
- Transistor Type
- NPN
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- ECCN Kodu
- EAR99
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Yayın Yılı
- 2009
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Obsolete
- Power Max
- 115W
- Configuration
- SINGLE
- Transistor Element Material
- SILICON
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors