Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Type
- HEMT
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 95°C
- Current Test
- 400mA
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Nominal Gerilim
- 65V
- Drain To Source Voltage Vdss
- 175V
- Akım Değeri
- 18.1A
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -40°C
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Continuous Drain Current Id
- 18.1A
- Power Output
- 500W
- Frekans
- 1.2GHz~1.4GHz
- Gate To Source Voltage Vgs
- -8V
- Yayın Yılı
- 2013
- Voltage Test
- 50V
- Ambalaj
- Bulk
- Parça Durumu
- Obsolete
- Max Power Dissipation
- 583W
- Kılıf / Paket
- Ceramic
- Gain
- 19.22dB
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
İlgili Ürünler
Microchip
0105-50
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1000M
RF MOSFETs Transistors
Microsemi
0405SC-100M
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1500M
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-100LV
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15E
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EL
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EP
RF MOSFETs Transistors