Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kılıf / Paket
- Ceramic
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Number Of Elements
- 1
- Parça Durumu
- Obsolete
- Ambalaj
- Bulk
- Gate To Source Voltage Vgs
- -8V
- Akım Değeri
- 4A
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- ECCN Kodu
- EAR99
- Nominal Gerilim
- 65V
- Pin Sayısı
- 2
- Montaj
- Screw
- Drain To Source Voltage Vdss
- 175V
- Current Test
- 100mA
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 95°C
- Transistor Type
- HEMT
- Drain Currentmax Abs Id
- 7.1A
- Gain
- 18.9dB
- Yayın Yılı
- 2015
- Max Power Dissipation
- 230W
- Voltage Test
- 50V
- Configuration
- SINGLE
- Operating Mode
- ENHANCEMENT MODE
- Terminal Sayısı
- 2
- Case Connection
- SOURCE
- Pin Sayısı
- 3
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Fet Technology
- HIGH ELECTRON MOBILITY
- Jesd30 Code
- R-CDFM-F2
- Frekans
- 960MHz~1.215GHz
- Power Output
- 125W
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -40°C
- Continuous Drain Current Id
- 4A
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Terminal Formu
- FLAT
İlgili Ürünler
Microchip
0105-50
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1000M
RF MOSFETs Transistors
Microsemi
0405SC-100M
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1500M
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-100LV
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15E
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EL
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EP
RF MOSFETs Transistors