Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Qg Gate Charge
- 35 nC
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Automotive
- No
- Vgs Gatesource Voltage
- - 30 V, + 30 V
- Channel Mode
- Enhancement
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Kılıf / Paket
- TO-263AA-3
- Pd Power Dissipation
- 320 W
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 600 V
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Ppap
- No
- Number Of Channels
- 1 Channel
- Eu Rohs
- Compliant
- Vgs Th Gatesource Threshold Voltage
- 2.5 V
- Rds On Drainsource Resistance
- 230 mOhms
- Parça Durumu
- NRND
- Technology
- Si
- Id Continuous Drain Current
- 18 A
İlgili Ürünler
Shenzhen Fuman Elec
055N85
MOSFETs Transistors Arrays
LUMBERG AUTOMATION
109969 0986 EFC 107
MOSFETs Transistors Arrays
GOODWORK
10N65F
MOSFETs Transistors Arrays
UTC(Unisonic Tech)
10N65L-ML-TF1-T
MOSFETs Transistors Arrays
UTC(Unisonic Tech)
10N65L-TC-TF1-T
MOSFETs Transistors Arrays
UTC(Unisonic Tech)
10N80L-CQ-TF1-T
MOSFETs Transistors Arrays
LUMBERG AUTOMATION
11260 RKCW 5/7
MOSFETs Transistors Arrays
VBsemi Elec
12N10-VB
MOSFETs Transistors Arrays