Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Paket
- GBU
- Reverse Voltage Dc
- 35V
- Yükseklik
- 18.8mm
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Diode Element Material
- SILICON
- Vrrmiirmv
- 50
- Ifsma
- 200
- Forward Voltage
- 1V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Iava
- 8
- Irmta25a
- 10
- Terminal
- Through Hole
- Pin Sayısı
- 4
- Vfmv
- 1
- Akım Değeri
- 8A
- Element Configuration
- Single
- Current Reverse Leakage Vr
- 5μA @ 50V
- Terminal Sayısı
- 4
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Output Current
- 8A
- Genişlik
- 3.56mm
- Kurşunsuz Kodu
- no
- JESD-609 Kodu
- e3
- Kapasitans
- 130pF
- Number Of Phases
- 1
- ECCN Kodu
- EAR99
- Diode Type
- Single Phase
- Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm
- 50V
- Weight
- 3.404012g
- Max Surge Current
- 200A
- Additional Feature
- UL RECOGNIZED
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Montaj
- Through Hole
- Forward Current
- 8A
- Parça Durumu
- Active
- Number Of Elements
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Peak Nonrepetitive Surge Current
- 200A