IXZR18N50

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Qualification Status

Not Qualified

REACH Uyumluluk Kodu

compliant

Frekans

65MHz

Gain

23dB

Transistor Element Material

SILICON

Jesd30 Code

R-PSIP-T3

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Rating Amps

19A

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Operating Temperature Max

175°C

Ambalaj

Tube

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Seri

Z-MOS™

Transistor Type

N-Channel

Power Dissipationmax Abs

350W

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Case Connection

ISOLATED

Terminal Formu

THROUGH-HOLE

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Parça Durumu

Obsolete

Drain Currentmax Abs Id

19A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kılıf / Paket

TO-247-3

Yüzey Montaj

NO

Yayın Yılı

2009

JESD-609 Kodu

e1

Number Of Elements

1

Ds Breakdown Voltagemin

500V

Power Output

350W

Nominal Gerilim

500V

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED