IXZ308N120

Teknik Özellikler

Reach Svhc

No SVHC

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

6

Gain

23dB

Frekans

65MHz

Qualification Status

Not Qualified

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Type

N-Channel

Seri

Z-MOS™

Transistor Application

SWITCHING

Voltage Test

100V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tube

Drain To Source Resistance

2.1Ohm

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2004

Yüzey Montaj

YES

Continuous Drain Current Id

8A

Kılıf / Paket

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Drain To Source Voltage Vdss

1.2kV

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Parça Durumu

Obsolete

Drain Currentmax Abs Id

8A

Configuration

SINGLE

Case Connection

ISOLATED

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Rise Time

5ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Terminal Sayısı

6

Nominal Gerilim

1200V

Max Power Dissipation

880W

Ds Breakdown Voltagemin

1200V

Number Of Elements

1