IXDN602SIATR

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-SOIC

Montaj

Surface Mount

Besleme Gerilimi

4.5V~35V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

125°C

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Channel Type

Independent

Turn On Delay Time

60 ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Number Of Outputs

2

Propagation Delay

60 ns

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Peak Output Source Sink

2A 2A

Gate Type

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Fall Time Typ

15 ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Supply Voltage

35V

Rise Fall Time Typ

7.5ns 6.5ns

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Output Current

2A

Yayın Yılı

2010

Logic Voltagevil Vih

0.8V 3V

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Drivers

2

Radyasyon Dayanımı

No

Driver Configuration

Low-Side

Giriş Tipi

Non-Inverting

Min Supply Voltage

4.5V

Rise Time

15ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Pin Sayısı

8