VID50-12P1

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

yes

Igbt Type

NPT

Input Capacitance Cies Vce

1.65nF @ 25V

Number Of Elements

1

Temel Parça No

VID

Max Power Dissipation

208W

Yayın Yılı

2006

Montaj Tipi

Chassis Mount

Collector Emitter Voltage Vceo

3.7V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Input Capacitance

1.65nF

Transistor Application

POWER CONTROL

Power Max

208W

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Pozisyonu

UPPER

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Max Collector Current

49A

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Input

Standard

Kılıf / Paket

ECO-PAC2

Qualification Status

Not Qualified

Pin Sayısı

10

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Configuration

Single

Turn Off Timenom Toff

570 ns

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Transistor Element Material

SILICON

Gateemitter Voltagemax

20V

Pin Sayısı

10

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Montaj

Chassis Mount, Screw

Turn On Time

170 ns

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Terminal Sayısı

10

Vceon Max Vge Ic

3.7V @ 15V, 50A

Case Connection

ISOLATED

Ntc Thermistor

Yes

Current Collector Cutoff Max

1.1mA