VDI50-12P1

Teknik Özellikler

Input Capacitance

1.65nF

Transistor Application

POWER CONTROL

Terminal Sayısı

10

Ntc Thermistor

Yes

Turn Off Timenom Toff

570 ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Igbt Type

NPT

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Pin Sayısı

10

Max Power Dissipation

208W

Configuration

Single

Transistor Element Material

SILICON

Montaj

Chassis Mount

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Formu

UNSPECIFIED

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

35

Input

Standard

Case Connection

ISOLATED

JESD-609 Kodu

e3

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Current Collector Cutoff Max

1.1mA

Turn On Time

170 ns

Terminal Pozisyonu

UPPER

Pin Sayısı

10

Yayın Yılı

2006

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

3.7V

Temel Parça No

VDI

Input Capacitance Cies Vce

1.65nF @ 25V

Kılıf / Paket

ECO-PAC2

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Montaj Tipi

Chassis Mount

Power Max

208W

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

49A

Vceon Max Vge Ic

3.7V @ 15V, 50A