MWI75-12E8

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

2.5V

Vceon Max Vge Ic

2.5V @ 15V, 75A

Ntc Thermistor

No

Ambalaj

Bulk

Terminal Pozisyonu

UPPER

Terminal Kaplaması

Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Current Collector Cutoff Max

1.1mA

JESD-609 Kodu

e3

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

11

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Configuration

Three Phase Inverter

Turn Off Timenom Toff

730 ns

Terminal Formu

PIN/PEG

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~125°C TJ

Transistor Application

POWER CONTROL

Fabrika Tedarik Süresi

24 Weeks

Number Of Elements

6

Power Max

500W

Turn On Time

210 ns

Max Collector Current

130A

Gateemitter Voltagemax

20V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Chassis Mount

Pin Sayısı

19

Case Connection

ISOLATED

Max Power Dissipation

500W

Kılıf / Paket

E3

Temel Parça No

MWI

Input Capacitance

5.7nF

Igbt Type

NPT

Input Capacitance Cies Vce

5.7nF @ 25V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2007

Parça Durumu

Obsolete

Input

Standard

Montaj

Chassis Mount, Screw

Jesd30 Code

R-XUFM-P11