MWI300-12E9

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~125°C TJ

Transistor Application

POWER CONTROL

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Turn Off Timenom Toff

770 ns

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Configuration

Three Phase

Terminal Sayısı

17

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

JESD-609 Kodu

e3

Current Collector Cutoff Max

1mA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Terminal Pozisyonu

UPPER

Ambalaj

Bulk

Kurşunsuz Kodu

yes

Vceon Max Vge Ic

2.4V @ 15V, 300A

Ntc Thermistor

Yes

Collector Emitter Voltage Vceo

2.4V

Qualification Status

Not Qualified

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Jesd30 Code

R-XUFM-X17

Montaj

Chassis Mount

Parça Durumu

Obsolete

Input

Standard

Yayın Yılı

2010

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Input Capacitance Cies Vce

22nF @ 25V

Igbt Type

NPT

Input Capacitance

22nF

Temel Parça No

MWI

Max Power Dissipation

2.1kW

Kılıf / Paket

E+

Case Connection

ISOLATED

Pin Sayısı

29

Montaj Tipi

Chassis Mount

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Gateemitter Voltagemax

20V

Max Collector Current

530A