MUBW35-12A7

Teknik Özellikler

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Reverse Voltage

1.6kV

Vcesatmax

3.1 V

Montaj

Chassis Mount, Screw

Max Power Dissipation

225W

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~125°C TJ

Turn On Time

170 ns

Max Collector Current

50A

Ntc Thermistor

Yes

Terminal Pozisyonu

UPPER

Number Of Elements

7

Parça Durumu

Active

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Montaj Tipi

Chassis Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Gateemitter Voltagemax

20V

Temel Parça No

MUBW

Input Capacitance

1.65nF

Current Collector Cutoff Max

1.1mA

Turn On Delay Time

100 ns

Pin Sayısı

24

Terminal Sayısı

24

Vceon Max Vge Ic

3.1V @ 15V, 35A

Kurşunsuz Kodu

yes

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Igbt Type

NPT

Transistor Application

POWER CONTROL

JESD-609 Kodu

e3

Pin Sayısı

24

Case Connection

ISOLATED

Ambalaj

Box

Yayın Yılı

2004

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Kılıf / Paket

E2

Input Capacitance Cies Vce

1.65nF @ 25V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV