MIO600-65E11

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

UPPER

Montaj Tipi

Chassis Mount

Vceon Max Vge Ic

4.2V @ 15V, 600A

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

E11

Jesd30 Code

R-XUFM-X9

Input

Standard

Current Collector Cutoff Max

120mA

Parça Durumu

Obsolete

Transistor Element Material

SILICON

Collector Emitter Voltage Vceo

4.2V

Kurşunsuz Kodu

yes

Number Of Elements

3

Input Capacitance Cies Vce

150nF @ 25V

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

6500V

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Montaj

Chassis Mount, Screw

Temel Parça No

MIO

Yayın Yılı

2011

Transistor Application

POWER CONTROL

Max Breakdown Voltage

6.5kV

Case Connection

ISOLATED

Input Capacitance

150nF

Max Collector Current

600A

Gateemitter Voltagemax

20V

Ntc Thermistor

No

Fabrika Tedarik Süresi

25 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~125°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Bulk

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Pin Sayısı

11

Collectoremitter Breakdown Voltage

6.5kV

Configuration

Single Switch

Igbt Type

NPT

Pin Sayısı

9

Terminal Sayısı

9