MIO1200-33E11

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~125°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Collectoremitter Breakdown Voltage

3.3kV

Configuration

Single Switch

Igbt Type

NPT

Pin Sayısı

9

Terminal Sayısı

9

Montaj

Chassis Mount

Temel Parça No

MIO

Yayın Yılı

2004

Transistor Application

POWER CONTROL

Case Connection

ISOLATED

Max Collector Current

1.2kA

Ntc Thermistor

No

Fabrika Tedarik Süresi

25 Weeks

Currentcollector Ic Max

1200A

Jesd30 Code

R-XUFM-X9

Input

Standard

Current Collector Cutoff Max

120mA

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Obsolete

Collector Emitter Voltage Vceo

3.1V

Kurşunsuz Kodu

yes

Number Of Elements

3

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

3300V

Terminal Pozisyonu

UPPER

Montaj Tipi

Chassis Mount

Vceon Max Vge Ic

3.1V @ 15V, 1200A

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

E11