MID150-12A4

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Input Capacitance

6.6nF

Yükseklik

30mm

Terminal Pozisyonu

UPPER

Power Max

760W

Additional Feature

UL RECOGNIZED

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

POWER CONTROL

Number Of Elements

1

Genişlik

62mm

Turn Off Timenom Toff

570 ns

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Vcesatmax

3 V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Sayısı

5

Current Collector Cutoff Max

7.5mA

Ambalaj

Bulk

Vceon Max Vge Ic

2.7V @ 15V, 100A

Pin Sayısı

7

Fabrika Tedarik Süresi

32 Weeks

Turn On Time

170 ns

Max Power Dissipation

760W

Input Capacitance Cies Vce

6.6nF @ 25V

Max Collector Current

180A

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Yayın Yılı

2000

Montaj

Chassis Mount, Screw

Kılıf / Paket

Y3-DCB

Uzunluk

110mm

Igbt Type

NPT

Pin Sayısı

5

Input

Standard

Ntc Thermistor

No

Collectoremitter Saturation Voltage

1.2kV

Gateemitter Voltagemax

20V