MDI200-12A4

Teknik Özellikler

Ntc Thermistor

No

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Transistor Element Material

SILICON

Montaj

Chassis Mount, Panel, Screw

Power Max

1130W

Additional Feature

UL RECOGNIZED

Pin Sayısı

7

Pin Sayısı

7

Turn On Delay Time

100 ns

Turn Off Timenom Toff

700 ns

Configuration

Single

Igbt Type

NPT

Terminal Sayısı

5

Temel Parça No

MDD200

Kılıf / Paket

Y3-DCB

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Transistor Application

POWER CONTROL

Yükseklik

30mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2000

Vceon Max Vge Ic

2.7V @ 15V, 150A

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

32 Weeks

Max Collector Current

270A

Terminal Pozisyonu

UPPER

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Ambalaj

Box

Gateemitter Voltagemax

20V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Turn On Time

150 ns

Turn Off Delay Time

650 ns

Uzunluk

110mm

Vcesatmax

3 V

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Case Connection

ISOLATED

Jesd30 Code

R-XUFM-X5

Number Of Elements

1