Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 650V
- Igbt Type
- PT
- Parça Durumu
- Active
- Td Onoff25c
- 38ns/156ns
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 1.75V
- Element Configuration
- Single
- Vceon Max Vge Ic
- 2.2V @ 15V, 110A
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~175°C TJ
- Montaj
- Through Hole
- Switching Energy
- 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
- Seri
- GenX4™, XPT™
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 2.2V
- Ambalaj
- Tube
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Giriş Tipi
- Standard
- Gate Charge
- 183nC
- Fabrika Tedarik Süresi
- 14 Weeks
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Reverse Recovery Time
- 100ns
- Test Conditions
- 400V, 55A, 2 Ω, 15V
- Max Collector Current
- 150A
- Max Power Dissipation
- 455W
- Yayın Yılı
- 2013
- Power Dissipation
- 455W
- Temel Parça No
- 110N65
- Current Collector Pulsed Icm
- 460A
İlgili Ürünler
ABB Semiconductors
5SNA1000G450300
Single IGBTs
ABB Semiconductors
5SNS0200V120100
Single IGBTs
ABB Semiconductors
5SNS0225U170100
Single IGBTs
AMPHENOL
P29930-M1
Single IGBTs
AMPHENOL
P29930-M2
Single IGBTs
AMPHENOL
P29930-M5
Single IGBTs
Advanced Power Electronics Corp
AP40G120AW
Single IGBTs
Advanced Power Electronics Corp
AP20GT60P-HF
Single IGBTs