IXST35N120B

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2002

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Weight

4.500005g

Parça Durumu

Obsolete

Number Of Elements

1

Gateemitter Thr Voltagemax

6V

Ambalaj

Tube

Gateemitter Voltagemax

20V

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

2

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Switching Energy

5mJ (off)

Power Max

300W

Max Power Dissipation

300W

Temel Parça No

IXS*35N120

Kurşunsuz Kodu

yes

Turn On Time

67 ns

Pin Sayısı

3

Current Collector Pulsed Icm

140A

Collectoremitter Saturation Voltage

3.6V

Turn Off Timenom Toff

580 ns

JESD-609 Kodu

e3

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Giriş Tipi

Standard

Td Onoff25c

36ns/160ns

Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Kılıf / Paket

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Gate Charge

120nC

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Test Conditions

960V, 35A, 5 Ω, 15V

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Case Connection

COLLECTOR

Vceon Max Vge Ic

3.6V @ 15V, 35A

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)