IXSH15N120B

Teknik Özellikler

Collectoremitter Saturation Voltage

3.4V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Weight

6.500007g

Qualification Status

Not Qualified

Additional Feature

FAST SWITCHING, LOW SWITCHING LOSSES

Test Conditions

960V, 15A, 10 Ω, 15V

Element Configuration

Single

Igbt Type

PT

Power Max

150W

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Yayın Yılı

2000

Vceon Max Vge Ic

3.4V @ 15V, 15A

Kurşunsuz Kodu

yes

Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Kılıf / Paket

TO-247-3

Turn On Time

55 ns

Gate Charge

57nC

Max Collector Current

30A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Through Hole

Montaj

Through Hole

Temel Parça No

IXS*15N120

Gateemitter Thr Voltagemax

6V

Ambalaj

Tube

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Max Power Dissipation

150W

Td Onoff25c

30ns/148ns

Kurşunsuz

Lead Free

Gateemitter Voltagemax

20V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Parça Durumu

Obsolete

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Turn Off Timenom Toff

563 ns

Giriş Tipi

Standard