IXGT40N60B2D1

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Td Onoff25c

18ns/130ns

Terminal Sayısı

2

Pin Sayısı

4

Parça Durumu

Obsolete

Giriş Tipi

Standard

Collectoremitter Breakdown Voltage

600V

Turn Off Timenom Toff

390 ns

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Switching Energy

400μJ (off)

Current Collector Pulsed Icm

200A

Transistor Application

POWER CONTROL

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Terminal Formu

GULL WING

Montaj

Surface Mount

Temel Parça No

IXG*40N60

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Ambalaj

Tube

JESD-609 Kodu

e3

Max Power Dissipation

300W

Seri

HiPerFAST™

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Case Connection

COLLECTOR

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Yayın Yılı

2004

Vceon Max Vge Ic

1.7V @ 15V, 30A

Kurşunsuz Kodu

yes

Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Kılıf / Paket

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Gate Charge

100nC

Max Collector Current

75A

Turn On Time

38 ns

Weight

4.500005g

Collectoremitter Saturation Voltage

1.7V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Reverse Recovery Time

25 ns