IXGT32N60BD1

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Switching Energy

600μJ (off)

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Current Collector Pulsed Icm

120A

Transistor Application

MOTOR CONTROL

Giriş Tipi

Standard

Collectoremitter Breakdown Voltage

600V

Turn Off Timenom Toff

240 ns

Transistor Element Material

SILICON

Td Onoff25c

25ns/100ns

Gateemitter Voltagemax

20V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Terminal Sayısı

2

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Obsolete

Max Power Dissipation

200W

JESD-609 Kodu

e3

Seri

HiPerFAST™

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Ambalaj

Tube

Terminal Formu

GULL WING

Gateemitter Thr Voltagemax

5V

Montaj

Surface Mount

Temel Parça No

IXG*32N60

Montaj Tipi

Surface Mount

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Gate Charge

110nC

Max Collector Current

60A

Turn On Time

50 ns

Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Kılıf / Paket

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Fall Timemax Tf

150ns

Yayın Yılı

2003

Kurşunsuz Kodu

yes

Vceon Max Vge Ic

2.3V @ 15V, 32A

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Case Connection

COLLECTOR

Element Configuration

Single