IXGT28N60BD1

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

POWER CONTROL

Current Collector Pulsed Icm

80A

Switching Energy

2mJ (off)

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Turn Off Timenom Toff

800 ns

Collectoremitter Breakdown Voltage

600V

Giriş Tipi

Standard

Parça Durumu

Obsolete

Pin Sayısı

4

Terminal Sayısı

2

Td Onoff25c

15ns/175ns

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Gateemitter Voltagemax

20V

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

150W

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tube

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Temel Parça No

IXG*28N60

Montaj

Surface Mount

Terminal Formu

GULL WING

Gateemitter Thr Voltagemax

5.5V

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Montaj Tipi

Surface Mount

Turn On Time

40 ns

Max Collector Current

40A

Gate Charge

68nC

Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Fall Timemax Tf

400ns

Kılıf / Paket

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Kurşunsuz Kodu

yes

Vceon Max Vge Ic

2V @ 15V, 28A

Yayın Yılı

2003

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Case Connection

COLLECTOR

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Power Max

150W

Element Configuration

Single