IXGP2N100A

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

3

Turn Off Timenom Toff

100 ns

Terminal Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Ambalaj

Tube

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Qualification Status

Not Qualified

Collectoremitter Breakdown Voltage

1kV

Max Collector Current

4A

Gateemitter Voltagemax

20V

Gate Charge

7.8nC

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Power Max

25W

Gateemitter Thr Voltagemax

8V

Giriş Tipi

Standard

Max Power Dissipation

25W

Weight

2.299997g

Montaj

Through Hole

Test Conditions

800V, 2A, 150 Ω, 15V

JESD-609 Kodu

e3

Case Connection

COLLECTOR

Yayın Yılı

2000

Transistor Application

POWER CONTROL

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

HTS Kodu

8541.29.00.95

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Kurşunsuz Kodu

yes

Jedec95 Code

TO-220AB

Collector Emitter Voltage Vceo

1kV

Current Collector Pulsed Icm

8A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1000V

Switching Energy

260μJ (off)

Number Of Elements

1

Turn On Time

100 ns

Jesd30 Code

R-PSFM-T3

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Vceon Max Vge Ic

3.5V @ 15V, 2A