Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Configuration
- Single
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 600V
- Pin Sayısı
- 4
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Terminal Sayısı
- 4
- Turn Off Timenom Toff
- 840 ns
- Pin Sayısı
- 4
- Igbt Type
- PT
- Case Connection
- ISOLATED
- Transistor Application
- POWER CONTROL
- Yayın Yılı
- 2009
- Montaj
- Chassis Mount
- Weight
- 38.000013g
- Max Power Dissipation
- 830W
- Fabrika Tedarik Süresi
- 30 Weeks
- Ntc Thermistor
- No
- Gateemitter Voltagemax
- 20V
- Max Collector Current
- 400A
- Input Capacitance
- 32nF
- Additional Feature
- UL RECOGNIZED, LOW CONDUCTION LOSS
- Power Dissipation
- 830W
- Transistor Element Material
- SILICON
- Parça Durumu
- Active
- Current Collector Cutoff Max
- 250μA
- Input
- Standard
- Terminal Formu
- UNSPECIFIED
- Number Of Elements
- 1
- Input Capacitance Cies Vce
- 32nF @ 25V
- Turn On Time
- 124 ns
- Seri
- GenX3™
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Kaplaması
- Nickel (Ni)
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.25V
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 1.25V
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Kılıf / Paket
- SOT-227-4, miniBLOC
- Vceon Max Vge Ic
- 1.25V @ 15V, 100A
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules