IXGH28N120BD1

Teknik Özellikler

Turn Off Timenom Toff

590 ns

Terminal Sayısı

3

Igbt Type

PT

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Pin Sayısı

3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Qualification Status

Not Qualified

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Ambalaj

Tube

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Gate Charge

92nC

Max Collector Current

50A

Gateemitter Voltagemax

20V

Yayın Yılı

2009

Transistor Application

POWER CONTROL

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Case Connection

COLLECTOR

Max Power Dissipation

250W

Weight

6.500007g

Temel Parça No

IXG*28N120

Test Conditions

960V, 28A, 5 Ω, 15V

Montaj

Through Hole

Power Max

250W

Gateemitter Thr Voltagemax

5V

Giriş Tipi

Standard

Switching Energy

2.2mJ (off)

Number Of Elements

1

Turn On Time

63 ns

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Jedec95 Code

TO-247AD

Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Current Collector Pulsed Icm

150A

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Kılıf / Paket

TO-247-3

Montaj Tipi

Through Hole