IXGH20N120BD1

Teknik Özellikler

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Ambalaj

Tube

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Qualification Status

Not Qualified

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Turn Off Timenom Toff

630 ns

Terminal Sayısı

3

Giriş Tipi

Standard

Power Max

190W

Temel Parça No

IXG*20N120

Montaj

Through Hole

Max Power Dissipation

190W

Weight

6.500007g

Case Connection

COLLECTOR

Transistor Application

POWER CONTROL

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Yayın Yılı

2003

Max Collector Current

40A

Gate Charge

72nC

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Parça Durumu

Obsolete

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

yes

Jedec95 Code

TO-247AD

Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Turn On Time

43 ns

Number Of Elements

1

Switching Energy

2.1mJ (off)

Td Onoff25c

25ns/150ns

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Vceon Max Vge Ic

3.4V @ 15V, 20A

Montaj Tipi

Through Hole

Kılıf / Paket

TO-247-3