IXGA30N60C3D4

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Igbt Type

PT

Yayın Yılı

2011

Number Of Elements

1

Giriş Tipi

Standard

Collectoremitter Breakdown Voltage

600V

Current Collector Pulsed Icm

150A

Reverse Recovery Time

60 ns

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Gateemitter Thr Voltagemax

5.5V

Test Conditions

300V, 20A, 5 Ω, 15V

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Seri

GenX3™

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tube

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Surface Mount

Turn On Time

45 ns

Vceon Max Vge Ic

3V @ 15V, 20A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

JESD-609 Kodu

e3

Qualification Status

Not Qualified

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Max Power Dissipation

220W

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Max Collector Current

60A

Td Onoff25c

16ns/42ns

Parça Durumu

Active

Turn Off Timenom Toff

160 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Gateemitter Voltagemax

20V

Power Max

220W