IXDT30N120

Teknik Özellikler

Case Connection

COLLECTOR

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Igbt Type

NPT

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Parça Durumu

Obsolete

Ambalaj

Tube

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Montaj Tipi

Surface Mount

Giriş Tipi

Standard

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Vceon Max Vge Ic

2.9V @ 15V, 30A

Turn On Time

170 ns

Gate Charge

120nC

Yayın Yılı

2005

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Pin Sayısı

3

Temel Parça No

IXD*30N120

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Turn Off Timenom Toff

570 ns

JESD-609 Kodu

e3

Montaj

Surface Mount, Through Hole

Power Max

300W

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

GULL WING

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Qualification Status

Not Qualified

Fabrika Tedarik Süresi

11 Weeks

Gateemitter Thr Voltagemax

6.5V

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Collector Current

60A

Element Configuration

Single

Gateemitter Voltagemax

20V

Max Power Dissipation

300W

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Additional Feature

LOW SWITCHING LOSSES