IXDH30N120

Teknik Özellikler

Case Connection

COLLECTOR

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Igbt Type

NPT

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tube

Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Collectoremitter Saturation Voltage

2.4V

Montaj Tipi

Through Hole

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Giriş Tipi

Standard

Yayın Yılı

2005

Power Dissipation

300W

Gate Charge

120nC

Current Collector Pulsed Icm

76A

Switching Energy

4.6mJ (on), 3.4mJ (off)

Vceon Max Vge Ic

2.9V @ 15V, 30A

Turn On Time

170 ns

Pin Sayısı

3

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Temel Parça No

IXD*30N120

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Turn Off Timenom Toff

570 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Test Conditions

600V, 30A, 47 Ω, 15V

Montaj

Through Hole

Jedec95 Code

TO-247AD

Qualification Status

Not Qualified

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Fabrika Tedarik Süresi

32 Weeks

Element Configuration

Single

Gateemitter Voltagemax

20V

Kurşunsuz Kodu

yes

Gateemitter Thr Voltagemax

6.5V

Max Collector Current

60A

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Max Power Dissipation

300W