IXBR42N170

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

2.9V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Turn On Time

224 ns

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.7kV

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Seri

BIMOSFET™

Fabrika Tedarik Süresi

32 Weeks

Temel Parça No

IXB*42N170

Terminal Sayısı

3

Gate Charge

188nC

Kılıf / Paket

ISOPLUS247™

Max Power Dissipation

200W

Ambalaj

Tube

JESD-609 Kodu

e1

Power Max

200W

Additional Feature

UL RECOGNIZED

Parça Durumu

Active

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Montaj Tipi

Through Hole

Turn Off Timenom Toff

1070 ns

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Gateemitter Thr Voltagemax

5.5V

Current Collector Pulsed Icm

300A

Giriş Tipi

Standard

Montaj

Through Hole

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yayın Yılı

2008

Transistor Application

POWER CONTROL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1700V

Reverse Recovery Time

1.32 μs

Qualification Status

Not Qualified

Gateemitter Voltagemax

20V

Jesd30 Code

R-PSIP-T3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON