IXBH5N160G

Teknik Özellikler

Giriş Tipi

Standard

Yayın Yılı

2003

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation

68W

Montaj

Through Hole

Test Conditions

960V, 3A, 47 Ω, 10V

Collectoremitter Saturation Voltage

4.9V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

POWER CONTROL

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Gateemitter Voltagemax

20V

Qualification Status

Not Qualified

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1600V

Case Connection

COLLECTOR

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Weight

6.500007g

Element Configuration

Single

Vceon Max Vge Ic

7.2V @ 15V, 3A

Max Collector Current

5.7A

Pin Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Jedec95 Code

TO-247AD

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Collector Emitter Voltage Vceo

1.6kV

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.6kV

Turn On Time

340 ns

Seri

BIMOSFET™

Pin Sayısı

3

Gate Charge

26nC

Terminal Sayısı

3

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Kılıf / Paket

TO-247-3

Max Power Dissipation

68W

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Lead Free

Turn Off Timenom Toff

190 ns

Gateemitter Thr Voltagemax

5.5V

Polaritychannel Type

N-CHANNEL