IXBH42N170A

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

TO-247-3

Max Power Dissipation

357W

Ambalaj

Tube

Power Max

357W

Parça Durumu

Active

Td Onoff25c

19ns/200ns

Montaj Tipi

Through Hole

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Gateemitter Thr Voltagemax

5.5V

Turn Off Timenom Toff

420 ns

Collector Emitter Voltage Vceo

1.7kV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Turn On Time

63 ns

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.7kV

Pin Sayısı

3

Seri

BIMOSFET™

Fabrika Tedarik Süresi

30 Weeks

Temel Parça No

IXB*42N170

Terminal Sayısı

3

Gate Charge

188nC

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Case Connection

COLLECTOR

Vceon Max Vge Ic

6V @ 15V, 21A

Element Configuration

Single

Weight

6.500007g

Switching Energy

3.43mJ (on), 430μJ (off)

Jedec95 Code

TO-247AD

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

42A

Pin Sayısı

3

Current Collector Pulsed Icm

265A

Giriş Tipi

Standard

Montaj

Through Hole

Yayın Yılı

2010

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Application

MOTOR CONTROL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Collectoremitter Saturation Voltage

5.2V

Test Conditions

850V, 21A, 1 Ω, 15V