IXA12IF1200HB

Teknik Özellikler

Giriş Tipi

Standard

Power Dissipation

85W

Montaj

Through Hole

Igbt Type

PT

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Yayın Yılı

2001

Transistor Application

POWER CONTROL

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Test Conditions

600V, 10A, 100 Ω, 15V

Genişlik

5.3mm

Collectoremitter Saturation Voltage

1.8V

Qualification Status

Not Qualified

Gateemitter Voltagemax

20V

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Reverse Recovery Time

350ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Uzunluk

16.26mm

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Vceon Max Vge Ic

2.1V @ 15V, 10A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Jedec95 Code

TO-247AD

Switching Energy

1.1mJ (on), 1.1mJ (off)

Max Collector Current

20A

Pin Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Turn On Time

110 ns

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Fabrika Tedarik Süresi

22 Weeks

Gate Charge

27nC

Kılıf / Paket

TO-247-3

Ambalaj

Tube

Max Power Dissipation

85W