+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
FII50-12E

IXYS

FII50-12E

IGBTs Transistors Arrays

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Vceon Max Vge Ic
2.6V @ 15V, 30A
JESD-609 Kodu
e1
Parça Durumu
Obsolete
Transistor Element Material
SILICON
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Sayısı
5
Çalışma Sıcaklığı
-55°C~150°C TJ
Input
Standard
Turn Off Timenom Toff
490 ns
Pin Sayısı
5
Number Of Elements
2
Case Connection
ISOLATED
Polaritychannel Type
N-CHANNEL
Igbt Type
NPT
Gateemitter Voltagemax
20V
Input Capacitance
2nF
Yayın Yılı
2003
Montaj Tipi
Through Hole
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Element Configuration
Dual
Turn On Time
135 ns
Transistor Application
POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage Vceo
2.6V
Max Power Dissipation
200W
Jesd30 Code
R-PSIP-T5
Voltage Collector Emitter Breakdown Max
1200V
Current Collector Cutoff Max
400μA
Power Max
200W
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Terminal Pozisyonu
SINGLE
Input Capacitance Cies Vce
2nF @ 25V
Max Collector Current
50A
Collectoremitter Breakdown Voltage
1.2kV
Montaj
Through Hole
Configuration
Half Bridge
Ntc Thermistor
No
Kılıf / Paket
i4-Pac™-5

İlgili Ürünler

  • IXYS

    FII24N170AH1

    IGBTs Transistors Arrays
  • IXYS

    FII24N17AH1

    IGBTs Transistors Arrays
  • IXYS

    FII24N17AH1S

    IGBTs Transistors Arrays
  • IXYS

    FII30-06D

    IGBTs Transistors Arrays
  • IXYS

    FII30-12E

    IGBTs Transistors Arrays
  • IXYS

    FII40-06D

    IGBTs Transistors Arrays
  • IXYS

    IXA20PG1200DHG-TRR

    IGBTs Transistors Arrays
  • IXYS

    IXA20PG1200DHG-TUB

    IGBTs Transistors Arrays
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek