ISL6613CBZ-T

Teknik Özellikler

Supply Voltage1nom

12V

Interface Ic Type

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Qualification Status

Not Qualified

Max Output Current

3A

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

8

Rise Fall Time Typ

26ns 18ns

Kurşunsuz Kodu

yes

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

0°C~125°C TJ

Gate Type

N-Channel MOSFET

ECCN Kodu

EAR99

High Side Voltage Max Bootstrap

36V

Jesd30 Code

R-PDSO-G8

Besleme Gerilimi

10.8V~13.2V

Yayın Yılı

2001

Output Peak Current Limitnom

3A

Number Of Drivers

2

Maks. Oturma Yüksekliği

1.75mm

Genişlik

3.9mm

Kılıf / Paket

SOIC

Min. Çalışma Sıcaklığı

0°C

Current Peak Output Source Sink

1.25A 2A

Driver Configuration

Half-Bridge

Uzunluk

4.9mm

Max Supply Voltage

13.2V

Rise Time

26ns

Terminal Pozisyonu

DUAL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Channel Type

Synchronous

Giriş Tipi

Non-Inverting

Çıkış Akımı

3A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Min Supply Voltage

10.8V

Terminal Sayısı

8

RoHS Durumu

RoHS Compliant

High Side Driver

YES

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Fall Time Typ

18 ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260