Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Number Of Elements
- 5
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Parça Durumu
- Active
- Continuous Collector Current
- 65mA
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Contact Plating
- Tin
- Yayın Yılı
- 2000
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Frekans
- 8GHz
- Configuration
- COMPLEX
- HTS Kodu
- 8541.21.00.75
- Kılıf / Paket
- SOIC
- Dc Current Gainmin Hfe
- 40
- Power Max
- 150mW
- Polarity
- NPN
- Gain Bandwidth Product
- 8 GHz
- Transistor Type
- 5 NPN
- Emitter Base Voltage Vebo
- 5.5V
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 125°C
- Frequency Transition
- 8GHz
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 12V
- Frequencymax
- 8GHz
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Terminal Sayısı
- 14
- Power Dissipation Max
- 150mW
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Montaj
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Collector Base Voltage Vcbo
- 12V
- Temel Parça No
- HFA3046
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 40 @ 10mA 2V
- Voltage Rated Dc
- 8V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 8V
- Noise Figure Db Typ F
- 3.5dB @ 1GHz
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- JESD-609 Kodu
- e3
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors