IRG7PH35UD-EP

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Temel Parça No

IRG7PH35

Gateemitter Thr Voltagemax

6V

Number Of Elements

1

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Yayın Yılı

2010

Collector Emitter Voltage Vceo

2.2V

Kılıf / Paket

TO-247-3

Ürün Durumu

Active

Case Connection

COLLECTOR

Switching Energy

1.06mJ (on), 620μJ (off)

Vceon Max Vge Ic

2.2V @ 15V, 20A

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Seri

*

Gate Charge

85nC

Giriş Tipi

Standard

Test Conditions

600V, 20A, 10 Ω, 15V

Igbt Type

Trench

Montaj Tipi

Through Hole

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Terminal Sayısı

3

Collectoremitter Saturation Voltage

1.9V

Max Power Dissipation

180W

Td Onoff25c

30ns/160ns

Montaj

Through Hole

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Jedec95 Code

TO-247AD

ECCN Kodu

EAR99

Turn On Time

45 ns

Current Collector Pulsed Icm

60A

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Reverse Recovery Time

105 ns

Transistor Application

POWER CONTROL

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

50A