IRF7905TRPBF

Teknik Özellikler

Power Dissipation

2W

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Ürün Durumu

Active

Fet Feature

Logic Level Gate

Power Max

2W

Uzunluk

4.9784mm

Element Configuration

Dual

Yükseklik

1.4986mm

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Formu

GULL WING

Input Capacitance Ciss Max Vds

600pF @ 15V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C ~ 150°C (TJ)

Terminal Sayısı

8

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Yayın Yılı

2008

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Continuous Drain Current Id

8.9A

Pin Sayısı

8

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-SO

Montaj

Surface Mount

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

3.9878mm

Drainsource On Resistancemax

0.0171Ohm

Temel Parça No

IRF7905PBF

Fall Time Typ

3.4 ns

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

2W

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Gate Charge Qg Max Vgs

6.9nC @ 4.5V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Vgsth Max Id

2.25V @ 25µA