IRF7902TRPBF

Teknik Özellikler

Terminal Formu

GULL WING

Input Capacitance Ciss Max Vds

580pF @ 15V, 900pF @ 15V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C ~ 150°C (TJ)

Terminal Sayısı

8

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Yayın Yılı

1999

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-SO

Continuous Drain Current Id

9.7A

Pin Sayısı

8

Montaj

Surface Mount

Power Dissipation

2W

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Ürün Durumu

Active

Fet Feature

Logic Level Gate

Power Max

1.4W (Ta), 2W (Ta)

Uzunluk

4.9784mm

Element Configuration

Dual

Yükseklik

1.4986mm

Avalanche Energy Rating Eas

7.3 mJ

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Direnç

22.6MOhm

Gate Charge Qg Max Vgs

6.9nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Vgsth Max Id

2.25V @ 25µA

Seri

HEXFET®

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

2

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

22.6mOhm @ 6.4A, 10V, 14.4mOhm @ 9.7A, 10V

Current Continuous Drain Id25

6.4A (Ta), 9.7A (Ta)

Paket

Bulk

Radyasyon Dayanımı

No

ECCN Kodu

EAR99

Genişlik

3.9878mm