SGB02N120ATMA1

Teknik Özellikler

Configuration

SINGLE

Td Onoff25c

23ns/260ns

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Terminal Formu

GULL WING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Pin Sayısı

4

Giriş Tipi

Standard

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Application

POWER CONTROL

JESD-609 Kodu

e3

Gate Charge

11nC

Current Collector Pulsed Icm

9.6A

Turn On Time

40 ns

Kurşunsuz Kodu

no

Terminal Sayısı

2

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Switching Energy

220μJ

Yayın Yılı

2007

Case Connection

COLLECTOR

Vceon Max Vge Ic

3.6V @ 15V, 2A

Temel Parça No

*GB02N120

Test Conditions

800V, 2A, 91 Ω, 15V

Yüzey Montaj

YES

Transistor Element Material

SILICON

Power Max

62W

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Igbt Type

NPT

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj Tipi

Surface Mount

Turn Off Timenom Toff

375 ns

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2