IRF9956PBF

Teknik Özellikler

Number Of Elements

2

Ambalaj

Tube

Seri

HEXFET®

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Gate Charge Qg Max Vgs

14nC @ 10V

Turn Off Delay Time

13 ns

Direnç

100mOhm

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Radyasyon Dayanımı

No

Rds On Max Id Vgs

100m Ω @ 2.2A, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Pulsed Drain Currentmax Idm

16A

Fall Time Typ

3 ns

Temel Parça No

IRF9956PBF

Genişlik

4.05mm

Kurşunsuz

Lead Free

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

2W

Parça Durumu

Discontinued

Transistor Element Material

SILICON

Reach Svhc

No SVHC

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2003

Nominal Vgs

1 V

Threshold Voltage

1V

Akım Değeri

3.5A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

8

Voltage Rated Dc

30V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

190pF @ 15V

Terminal Formu

GULL WING

Montaj

Surface Mount

Rise Time

8.8ns

Pin Sayısı

8

Continuous Drain Current Id

3.5A