IRF9953PBF

Teknik Özellikler

Power Dissipation

2W

Genişlik

4mm

Kurşunsuz

Lead Free

Temel Parça No

IRF9953PBF

Fall Time Typ

6.9 ns

Fet Feature

Standard

Power Max

2W

Uzunluk

5mm

Drain To Source Resistance

250mOhm

Parça Durumu

Discontinued

Element Configuration

Dual

Turn On Delay Time

9.7 ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Yükseklik

1.5mm

Max Power Dissipation

2W

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

190pF @ 15V

Drain To Source Breakdown Voltage

-30V

Gate Charge Qg Max Vgs

12nC @ 10V

Turn Off Delay Time

20 ns

Voltage Rated Dc

-30V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Akım Değeri

-2.3A

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Threshold Voltage

-1V

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Yayın Yılı

1997

Nominal Vgs

-1 V

Seri

HEXFET®

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rds On Max

250 mΩ

Number Of Elements

2

Ambalaj

Tube

Reach Svhc

No SVHC

Pin Sayısı

8