IRF9952TRPBF

Teknik Özellikler

Uzunluk

4.9784mm

Yükseklik

1.4986mm

Avalanche Energy Rating Eas

44 mJ

Power Dissipation

2W

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Fet Feature

Logic Level Gate

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Continuous Drain Current Id

3.5A

Pin Sayısı

8

Montaj

Surface Mount

Rise Time

14ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

190pF @ 15V

Terminal Formu

GULL WING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

8

Threshold Voltage

1V

Akım Değeri

3.5A

Yayın Yılı

2004

Nominal Vgs

1 V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Reach Svhc

No SVHC

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

2W

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

N and P-Channel

ECCN Kodu

EAR99

Genişlik

3.9878mm

Kurşunsuz

Contains Lead, Lead Free

Temel Parça No

IRF9952PBF

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Pulsed Drain Currentmax Idm

16A

Current Continuous Drain Id25

3.5A 2.3A

Rds On Max Id Vgs

100m Ω @ 2.2A, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Radyasyon Dayanımı

No